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NUF2101M
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
Device
Device
Marking
V RWM
(Volts)
V BR @
1 mA
(Volts)
Min Max
Max I R
@ V RWM
= 5.25 V
V BUS to
GND
( m A)
Max I R
@ V RWM
= 3.3 V
V BUS Pin
( m A)
Typical Line
Capacitance
(pF)
(Notes 2, 3)
Series Resistor
R S ( W ) (Note 1)
Min Nom Max
Min
Pulldown
Resistor
R pd (k W )
Nom
Max
NUF2101MT1
NUF2101MT1G
6V
6V
5.25
5.25
6.0
6.0
8.0
8.0
1.0
1.0
0.1
0.1
55
55
26.3
26.3
30
30
33.7
33.7
13
13
15
15
17
17
1. For other R S values (i.e. R S = 30 W ) contact your local ON Semiconductor sales representative.
2. Measured at 25 ° C, V R = 0 V, f = 1 MHz, Pins 2, 3, 4 or 5 to GND with Pin 1 also grounded.
3. For other capacitance values contact your local ON Semiconductor sales representative.
http://onsemi.com
2
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